Hallo Andreas,
Die Änderungen mit denen Du die Schaltung zum laufen gebracht hast, habe ich mir in die Kopie eingezeichnet. Und dabei habe ich etwas entdeckt.
Ich muß sagen clever, wenn es auch bei hoher Belastung und hoher Uein so bleibt ist es prima. Die Gefahr des durchbrechens Emitter_Basis Diode bei T7,T8
ist stark vermindert durch nur 6.8V an T7 und durch Spannungsteilung an T8. Jetzt könnte man sogar ein Poti mit Schleifer an Basis T8 verwenden zur Einstellung aller Spannungen von 6.8V--60V.
Aber manchmal entwickelt man ja einen Fehler heraus, dafür eine anderen, neuen noch ganz unbekannten Fehler wieder hinein.
Worauf ich Dich aufmerksam machen will ist folgendes: Die 100pF können infolge der neuen Basisbeschaltung von T4,T5 ihre Ladung nicht mehr los werden.
Bei den bislang langsamen Vorgängen fällt das nicht weiter auf. Ich hoffe, daß das auch bei hohen Frequenzen (kurzen Impulsen) so bleibt.
Wir sollten nur einen Zustand betrachten. Der andere Zustand ist ganz derselbe. Bei Belastung also hoher Frequenz könnte folgendes eintreten.
Gehen wir hiervon aus:
T4 leitet T5 sperrt. Da ging die Entladung der 100pF so:------100pf--T4--gnd--22k--100pF. Jetzt aber sperrt die Diode an T5.
Auch über den anderen Weg 100pF--10k--T2--22k--100pF gibt es keine Entladung denn T5 ist gesperrt weil T2 jetzt sperrt, weil T8 leitet. Also Uein< Uaus. Wenn 100pF sich nicht richtig entladen kann, wird die Kippschaltung bei höheren Frequenzen aussetzen.
Abhilfe kann sein:
1.ca 47k parallel zu den 100pF.
2.Die Dioden an T4,T5 in die Emitterleitung legen.
3.Dioden in Flußrichtung an T4,T5,T6 schalten. Der Vorteil, Durchbruch Emitter_Basis T4,T5,T6 ist unmöglich, Entladung 100pF garantiert. Durch kurze neg. Flußspannung an Basis_T4,T5,T6
hohe Frequenz, kurze Schaltzeiten geringe Verluste möglich. Der Weg der Entladung ist dann:
100pF----T4----gnd----Diode T6---- Diode T5----470 Ohm----100pF. Wie in meiner letzten Version.
mfG Peter Sombrero